Questa è la voce che sta girando per i portali più importanti che trattano dell'industria dei semiconduttori, e che tante discussioni sta sollevando tra gli addetti al settore.
La presentazione, quasi in contemporanea, dei SoC A8 di Apple e Core M (Broadwell-Y) di Intel ha portato in auge un argomento molto scottante in quanto, se confermato, metterebbe a rischio Intel quale fonderia con il migliore processo produttivo, almeno nel prossimo futuro: i 20nm di TSMC sono davvero più densi dei 14nm di Intel?
Fin da principio Intel ha parlato chiaro: i sui 14nm non sarebbero solo il PP più avanzato, dal punto di vista velocistico e dei consumi, ma anche quello in grado di fornire la maggiore densità di transistor (suscitando, in parte e forse a ragione, le ire della stessa TSMC).
Con la presentazione dei due SoC sopracitati, veniamo però al raggiungimento di un paradosso, a prima vista: Intel, per Broadwell-Y, dichiara 1,3 mld di transistor e una superficie di 82 mm2, mentre Apple, per l'A8, dichiara circa 2 mld di transistor e una superficie di 89 mm2 (il 13% inferiore a quella dell'A7, pari a 102 mm2). Facendo due calcoli, i 20nm SOC di TSMC sembrano permettere una densità del 54% maggiore rispetto ai 14nm FinFET di Intel!
È ancora presto per emettere un verdetto finale, in quanto non abbiamo il numero preciso dei transistor del SoC A8, e non conosciamo il quantitativo di Cache (caratterizzata da una bassa densità) presente nello stesso, ma c'è comunque un dato di fatto: si sta sollevando un piccolo dubbio sull'effettiva leadership tecnologica di Intel nel campo delle fonderie.