Al Computex di Taiwan la statunitense Micron ha mostrato al pubblico la propria implementazione a 16nm delle NAND Flash TLC, dedicate ad equipaggiare gli SSD di fascia entry-level e i sistemi embedded/industriali.
La sempre maggiore concorrenza nel mercato degli SSD a basso costo sta spingendo tutti i produttori di NAND Flash a realizzare economiche memorie TLC, così da limare il più possibile i prezzi di listino, questo perché l'utenza media preferisce risparmiare anche solo pochi euro nell'acquisto dell'SSD (vedesi il successo conseguito dagli SSD entry-level Samsung e Kingston basati su NAND Flash TLC).
Andando più nello specifico, le NAND Flash TLC (Triple-Level Cell) hanno una densità di 3 bit per cella, mentre le memorie MLC (Multi-Level Cell) di 2 bit per cella. Questo significa che un chip NAND Flash TLC ha una capacità del 28% superiore rispetto ad un chip NAND Flash MLC di pari dimensione, prodotto con il medesimo processo produttivo. Ma questo significa anche che le celle TLC saranno meno longeve delle MLC, in quanto ogni cella subirà un maggior numero di scritture.
Le più recenti NAND Flash TLC, comunque, dovrebbero garantire sia un'ottima longevità, di poco inferiore alle NAND Flash MLC, attualmente utilizzate sulla maggior parte degli SSD in commercio, sia delle prestazioni più che dignitose.
Kevin Kilbuck, Direttore dello sviluppo delle soluzione NAND presso Micron, ha affermato: “Our new TLC NAND technology meets the ever-rising demand for reliable high-capacity storage. We see 16nm TLC as an excellent solution for 2015 consumer applications as we drive toward 3D NAND TLC production in 2016”. Il 2016 si rivelerà un anno d'oro per le memorie TLC, in quanto sia Toshiba (TLC@19nm), sia Samsung e SanDisk (TLC@15nm), sia Micron (TLC@16nm) tenteranno di sbancare il mercato degli SSD di fascia bassa.