Sull’effettiva densità dei nodi produttivi FinFET, qual è la verità?

[Fottemberg]

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[dobermann77]

In giro si legge che i 7nm non-Intel sarebbero equivalenti ai 14nm Intel,
ma sono tutte palle secondo me

[george_p]

In giro si legge che i 7nm non-Intel sarebbero equivalenti ai 14nm Intel,
ma sono tutte palle secondo me

Essì, in giro si legge e si sente davvero proprio tutto l'impensabile che la stupidità umana possa concepire, anche perché i 7 nm se qualche produttore li ha realizzati sono a malapena dei test di laboratorio. E in quanto tali non possono essere paragonati ai (variabilissimi) 14 nm di intel che ormai sono decisamente sul mercato da anni e più "maturi".
In giro e miocuggino sono eterni fratelli

[lucusta]

il gate lo puoi pure fare da 7nm,ma per arrivarci fisicamente ci vuole rame, rame che parte dalla superficie e che contatta bene con il package.
passare da 14 a 7nm e' dividere per 4 la superficie di connessione...
è fisicamente improbabile che riescano a scalare tutto con questo fattore.

e poi un chip non e' SRAM...

[gridracedriver]

non capisco perché far credere di avere un PP più avanzato abbassando il numerino commerciale, quando poi il prodotto è inferiore (tipo samsung vs tscm)
non si ha un effetto controproducente?

[NickNaylor]

il gate lo puoi pure fare da 7nm,ma per arrivarci fisicamente ci vuole rame, rame che parte dalla superficie e che contatta bene con il package.
passare da 14 a 7nm e' dividere per 4 la superficie di connessione...
è fisicamente improbabile che riescano a scalare tutto con questo fattore.

e poi un chip non e' SRAM...

il problema dovrebbe essere in incidere il silicio ( che fa da stampo ) più che colare il rame all'interno dell'incisione.