Elpida Memory ha annunciato di aver avviato lo sviluppo di memoria ReRAM (resistance memory) non-volatile ad elevate prestazioni. Il prototipo, sviluppato in collaborazione con l'ente giapponese New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO), è stato costruito con tecnologia a 50 nanometri e presenta un array di celle di memoria da 64 megabits, una della maggiori densità oggi disponibili per le ReRAM.
ReRAM, acronimo di Resistance Random Access Memory, rappresenta la tecnologia delle memorie di prossima generazione la quale prevede la modifica della resistenza in risposta a cambiamenti imposti con la tensione elettrica. Gli aspetti più interessanti delle ReRAM vanno dalla possibilità di ritenere dati anche in assenza di corrente (sono appunto memorie non volatili) a quella di poter leggere e scrivere dati a velocità molto elevate usando tensioni molto basse.
Insomma, le ReRAM sembrano essere capaci di mettere assieme il buono delle memorie DRAM (prestazioni elevate) e di quelle NAND Flash (possibilità di ritenere i dati). Le prestazioni in scrittura delle ReRAM si attestano sui 10 nanosecondi, leggermente peggiori di quelle delle DRAM, mentre l'affidabilità di ogni cella permette di scrivere più di un milione di volte (10 volte di più di quanto possa fare una cella NAND flash).
Elpida continuerà lo sviluppo delle ReRAM con l'obiettivo di avere una produzione in volumi per il 2013 usando tecnoloia a 30nm e capacità dell'ordine del GB. Quel che resterà da valutare è se questa tipologia di memoria potrà essere offerta a prezzi bassi, cocorrenziali con quelli delle attuali alternative già presenti sul mercato: in tal caso la diffusione di prodotti di storage (SSD, in primis) veloci, affidabili e con consumi contenuti ne potrebbe enormemente beneficiare.
