Per colmare il gap accumulato nei confronti della Playstation 4, Microsoft ha deciso di commercializzare una versione più compatta e potente, oltre che meno esosa dal punto di vista energetico, della XBOX One.
Attualmente il SoC AMD della XBOX One è prodotto sia da TSMC sia da GloFo sul nodo 28nm BULK, mentre il SoC della futura console verrà prodotto esclusivamente presso TSMC con il nodo 16nm FinFET (Non sappiamo in quale variante: FF+, FF++, FFC), come ha affermato Albert Penello, Senior Director of Product Marketing and Planning di Microsoft: “Correct! The SoC in the Xbox One S is designed in the 16nm Fin FET process, which results in a die that is 240mm2; 33 per cent smaller and consumes less power than the 28nm SoC in the original Xbox One”. Questa decisione potrebbe essere stata presa per una serie di ragioni:
- La nuova XBOX One S non andrà a sostituire l’attuale modello, ma solo ad affiancarlo, quindi i limitati slot produttivi presso TSMC non saranno un problema, almeno inizialmente;
- I 16nm di TSMC sembrano essere molto più parchi nei consumi rispetto ai 14nm utilizzati da GloFo (Avuti in licenza da Samsung);
- I 16nm di TSMC dovrebbero garantire frequenze operative più elevate, fattore da non sottovalutare al fine di rendere più appetibile la nuova console.
Rimaniamo in attesa di ulteriori informazioni a riguardo.