Qualcomm, in questo comunicato stampa, annuncia il prossimo avvio della produzione del SoC di fascia alta Snapdragon 835 sui 10nm FinFET di Samsung, battendo così sul tempo i prodotti concorrenti in quanto a sfruttamento del nodo più avanzato attualmente disponibile (Il Kirin 970 @10nm TSMC dovrebbe essere disponibile nel 4Q17, mentre l’Apple A11 @10nm TSMC nel 3Q17).
Si tratta comunque di un comunicato da prendere con le pinze, in quanto Samsung è famosa per scontentare abbastanza frequentemente i propri clienti in quanto a qualità del prodotto finale o tempistiche (L’ultimo caso, l’A9 di Apple). Sempre riguardo questa collaborazione tra Qualcomm e Samsung, infatti, recentemente sono apparse voci sul possibile utilizzo da parte della casa statunitense, per la produzione dello Snapdragon 835, anche delle fonderie di TSMC.
Dopo il passo falso compiuto con il “fornellino” Snapdragon 810 @20nm, e la faticosa risalita con i SoC successivi, sarebbe un suicidio commerciale presentare ancora una volta, a distanza di appena un paio d’anni, un nuovo fallimentare SoC.
Per questo motivo, almeno per il momento, prenderemo per buone le parole di Qualcomm e Samsung su questa idilliaca collaborazione, ricordandoci comunque che le voci sull’utilizzo delle FAB di TSMC potrebbero non essere campate per aria.