Grazie ai colleghi di Anandtech, i quali hanno avuto la fortuna di poter visitare i laboratori di Qualcomm, abbiamo finalmente qualche benchmark affidabile per quanto riguarda l'atteso SoC Snapdragon 835.
I test sono stati effettuati tramite una Mobile Development Platform con a bordo tale SoC, ossia uno "smartphone di riferimento" - talvolta anche messo in vendita - come abbiamo già visto in passato.
Lo scopo dei test, come si può immaginare, è scoprire le potenzialità del nuovo prodotto confrontandole con il precedente SoC di punta, ossia lo Snapdragon 821/820, ed ovviamente i ben noti concorrenti Exynos (Samsung) e Kirin (Huawei).
Nel benchmark PCMark 2.0 - nei due test riportati focalizzato sulla potenza della CPU - possiamo notare un discreto miglioramento rispetto al precedente Snapdragon 821 ma, al contrario di quanto ci si potesse aspettare, solo un leggero distacco rispetto al Kirin 960 presente a bordo dell'Huawei Mate 9.
Nei benchmark GFXBench e 3DMark possiamo invece notare i muscoli della nuova iGPU Adreno 540, la quale non solosovrasta tutti i concorrenti - compresa la precedente Adreno 530 - ma da una bella lezione anche alla iGPU del SoC Apple A10 Fusion, presente a bordo degli iPhone 7/7 Plus.
Come si poteva immaginare, dato il nomero di core a disposizione (ricordiamo un octa-core di tipo big.LITTLE) e la potente iGPU, il SoC in questione da il meglio nel momento in cui può esprimere tutto il suo potenziale, come si può notare dal risultato finale ottenuto sul 3DMark.
Naturalmente ricordiamo che tali "numeri" servono solo a farsi una idea sulle potenzialità dei vari SoC, che non devono perforza riflettere le performance nella vita di ogni giorno per quanto riguarda l'esperienza utente (ricordiamo che senza un software scritto a puntino, la potenza non è nulla senza controllo).
A questo punto siamo curiosi di conoscere le potenzialità del nuovo SoC Exynos 8895 di Samsung, il quale debutterà a bordo dei freschissimi Galaxy S8 ed S8+.
