Con il chiaro intento di offrire il massimo delle performance in ambito Android, Qualcomm ha deciso di tirare fuori dal cappello il SoC Snapdragon 855 Plus, variante vitaminizzata della variante standard.
Il colosso dei chipmaker ha deciso di aumentare le frequenze dei core Kryo 485 fino a 2,96GHz (Contro i 2,84Ghz) e di spingere la iGPU Adreno 640 fino a 672MHz (Contro i 585MHz), così da offrire ulteriori performance per gli amanti del gaming su mobile.
É chiaro che il produttore stia puntando sui dispositivi top di gamma che usciranno a breve, nella seconda metà del 2019, suggerendo l'arrivo di dispositivi come il chiaccherato - soprattutto in questo ultimo periodo - Asus ROG Phone 2, e magari qualcos'altro.
Spunti di lettura: Snapdragon 855 = 5G ? Non proprio, facciamo chiarezza
Qualcomm annuncia la piattaforma mobile Snapdragon 855 Plus
– La piattaforma flagship è stata aggiornata per supportare performance ed esperienze migliorate in ambito 5G, Gaming, IA e XR –
Qualcomm Technologies, Inc., sussidiaria di Qualcomm Incorporated (NASDAQ: QCOM), svela la piattaforma mobile Qualcomm Snapdragon 855 Plus, un’ulteriore evoluzione del modello flagship Snapdragon 855, che sarà lanciata con i principali OEM a livello globale e che è stata studiata per supportare performance ottimizzate e offrire le migliori esperienze in ambito 5G multi-gigabit, gaming, IA e XR. La piattaforma abilita performance di gioco migliorate per raggiungere un’esperienza degna di Qualcomm Snapdragon Elite Gaming – soprattutto con l’utilizzo del 5G.
“Snapdragon 855 Plus alzerà il livello dell’esperienza per i gamer professionisti grazie a miglioramenti delle performance di CPU e GPU e amplificherà le esperienze per 5G, IA e XR, elementi che i nostri clienti OEM ci richiedono,” afferma Kedar Kondap, vice president, product management, Qualcomm Technologies, Inc. “Snapdragon 855 Plus è la nostra piattaforma mobile più avanzata e si baserà sui successi della piattaforma mobile Snapdragon 855 5G, modello flagship per Android del 2019.”
La versione integrale del comunicato in inglese è disponibile a questa pagina.