Per la prima volta in oltre un decennio (Cioè dai 65nm per Conroe), Intel ha deciso di migliorare un proprio nodo già in commercio, invece di presentarne uno completamente nuovo. L'aumento esponenziale dei costi di sviluppo dei nodi FinFET, la crisi del mercato PC e l'uscita dal mercato Mobile hanno convinto la dirigenza di Santa Clara a puntare nuovamente sui 14nm 3D-Gate, al fine di renderli maggiormente fruibili per la realizzazione dei chip High Performance - quelli che attualmente stanno tirando avanti la carretta -, posticipando CannonLake.
Il nodo 14nm 3D-Gate Plus dovrebbe garantire frequenze più elevate ed un leggero risparmio energetico, come è possibile osservare dalla lista dei modelli Xeon E3 recentemente trapelata. I vantaggi principali si avranno soprattutto per i modelli di fascia più alta, segno che questo nodo è stato studiato principalmente per i chip ad alte prestazioni, come scrive Rick Merritt su EETimes: "The 14+nm process delivers transistor-level enhancements such as taller fins and improved gate pitch, interconnect speed and aspect ratio to deliver 12% better performance" (Con tutta probabilità a risentirne sarà la densità).
La strategia di Intel somiglia molto a quella che stanno protando avanti Samsung e TSMC. La prima, partita con un nodo 14nm FinFET dedicato principalmente al mercato Mobile - l'LPE - ha poi presentato l'LPP (Low-Power Plus). Parimenti TSMC ha presentato i 16nm FF, e quindi i 16nm FF+.
La crescente importanza dei mercati Enterprise (HPC e Deep Learing) stanno attirando tanto l'attenzione delle fonderie, quanto delle aziende Fabless, per via dei notevoli margini utili in grado di garantire. Non va poi dimenticato l'imminente arrivo di Zen, il quale potrebbe effettivamente mettere in difficoltà Intel non tanto per le prestazioni pure, quanto nel rapporto Performance/Watt/Price.