ST Microelectronics e GlobalFoundries stanno giungendo ad un accordo per iniziare la produzione con tecnologia FD-SOI a 28nm entro la fine di quest'anno, secondo quanto riportato da EETimes.
Della tecnologia FD-SOI di Stm avevamo già parlato, ed al CES di Las Vegas è stato presentato il primo SoC NovaThor L8580 ad utilizzarla, prodotto dalla sussidiaria ST Ericsson e molto promettente sia dal lato prestazioni sia dal lato consumi.
Stm spera che l'FD-SOI possa venire utilizzato da altre aziende, dopo averne dimostrato le ottime caratteristiche. Tale tecnologia offre diversi vantaggi rispetto al CMOS Bulk, sempre a 28nm: a parità di frequenza permette di dimezzare i consumi, o mantenendo alla pari i consumi permette di aumentare del 30% le frequenze.
Joel Hartmann, membro del SOI Consortium per Stm, ha affermato: “We have an MoU [memorandum of understanding] with Globalfoundries. Right now we are discussing the details of the contract”. La fonderia di GF scelta per la produzione sarebbe la FAB 1 di Dresda, la più moderna tra quelle attualmente a disposizione.
Hartmann aggiunge che il costo di un Wafer SOI è maggiore rispetto a quello di un Wafer Bulk, ma tale esborso è compensato da altri vantaggi: “At 28-nm when all that is taken into consideration there is an additional cost to FDSOI manufacturing of about 10 to 12 percent. The goal is that we can make it transparent for the customer – equal cost. That's not the case right now but as we ramp up, we expect economies of scale”.
Della tecnologia FD-SOI ha parlato anche Giorgio Cesana, Direttore del Reparto Marketing di ST Microelectronics, come riporta Pete Singer su Electroiq, elencandone i maggiori pregi.
ST Microelectronics si aspetta un buon successo commerciale dell'FD-SOI, e se dovesse accadere GlobalFoundries potrebbe avere trovato un ottimo sistema per differenziarsi da TSMC, Samsung e le altre fonderie.