Cinque anni fa Intel si aprì al mondo, affermando pubblicamente di aver avuto grossi problemi di rese produttive con il nodo 14nm FinFET. Oggi, attraverso EETimes, finalmente Intel ammette di essere in netto ritardo nei confronti di TSMC e Samsung con i 10nm.
Iniziamo col dire che ogni casa, ormai da anni, denomina i propri nodi non rispecchiando la reale nanometria, ma questo lo fanno tutte le case: Intel, TSMC, Samsung, GlobalFoundries ed anche quelle minori. Confrontare i vari nodi basandosi sul loro nome non è assolutamente un modus operandi ideale per gli addetti al settore.
Il reale confronto va fatto in relazione alla data di entrata in servizio, alla densità e alla resa produttiva, e se diamo retta alle ultime informazioni, Intel si vedrà superata da TSMC e Samsung: “Intel's Zheng Gui said that his company's design shows 0.62x0.58x scaling compared to its 14-nm SRAM, which is within 15 percent of the smallest reported 7-nm cell”. In altre parole, i 7nm di Samsung e TSMC (E probabilmente di GlobalFoundries) dovrebbero essere il 15% più densi dei 10nm di Intel. Un traguardo storico per Samsung e TSMC, in quanto i nodi di queste tre case saranno in commercio contemporaneamente.
I 10nm 3D-Gate di Intel proporzionalmente sono più densi dei 7nm di TSMC e Samsung? Poco importa, quando questi ultimi due possono essere prodotti con una resa produttiva più elevata ed offrono una migliore densità rispetto ai 10nm di Intel.
Insomma, durante questo 2018 vedremo l’effettivo sorpasso ai danni di Intel, dopo che già qualche anno fa se ne ebbe la prima avvisaglia con i 20nm SOC di TSMC.