Sulle varie testate online è stata pubblicata, con un certo clamore, la notizia relativa all’avvio della produzione con i 10nm FinFET da parte di Intel già quest’anno, ma a nostro avviso la reale novità risulta essere l’introduzione di un nodo Low Power-Low Budget che sfrutta i rodati 22nm 3D-Gate, e che si va a porre in diretta concorrenza con i 12nm FDX (FD-SOI) di GlobalFoundries e con i 12nm FinFET di TSMC.
Intel, cosa che si conosce da tempo, vuole ritagliarsi una posizione importante quale fornitore tra le aziende Fabless, le quali attualmente si rivolgono a TSMC, GloFo, UMC ed altre fonderie minori. Per farlo deve necessariamente proporre un nodo in grado di interessare il maggior numero di clienti e, poiché la produzione oggi si concentra principalmente su soluzioni a basso consumo (Mobile, Automotive, Cloud Computing, IoT, ecc), la risposta è una ed una soltanto: sviluppare un nodo Low Power e a basso costo dalle caratteristiche adeguate.
Con la “massificazione” dei processi FinFET, la guerra tra fonderie si sta quindi spostando dai processi planari a quelli 2.5D (I FinFET sono un finto 3D, ndA), ed Intel ha deciso di adattare l’ottimo nodo 22nm 3D-Gate a questo mercato, come riporta EETimes: “Separately, it announced a 22nm low-power FinFET node to compete for foundry business with fully depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) from rivals such as Globalfoundries”. Il nuovo processo si chiama 22nm FinFET Low Power (FFL). Qui il documento ufficiale.
Questo nuovo nodo dovrebbe risultare disponibile per la produzione in massa a partire dal 4Q di quest’anno, e dovrebbe – sempre secondo Intel – avere un costo paragonabile a quello dei migliori nodi da 28nm BULK attualmente sul mercato (Cioè quelli di TSMC e GlobalFoundries). A questo punto non ci resta che rimanere in attesa per conoscere il nome di eventuali clienti. Uno di questi, quasi sicuramente, sarà la cinese Spreadtrum.