Le aziende Fabless che producono chip dedicati ai mercati dove il ricarico è relativamente basso, come ad esempio i produttori di Modem 5G, agognano a poter sfruttare i nodi produttivi più avanzati, ma sono trattenuti in questo dai costi di design e produzione eccessivamente elevati.
La tecnologia FD-SOI di STM risulta quindi decisamente attraente da questo punto di vista, in quanto unisce i vantaggi di un design “piano” (Costi di Design e Produzione) ai vantaggi dei nodi FinFET (Tensioni di funzionamento molto basse). Proprio per questo GlobalFoundries ha deciso di investire notevoli energie nella realizzazione del nodo 12FDX (12nm FD-SOI), evoluzione dell’apprezzato 22FDX, già utilizzato da Sony e NXP. E la fila degli utilizzatori si sta ingrossando di giorno in giorno (Everspin, QuickLogic, ecc).
TSMC, che annovera tra i propri clienti molti produttori Fabeless della tipologia descritta all’inizio di questa news, non vuole certamente lasciare a GlobalFoundries tutto il mercato in oggetto, e proprio per questo si rumoreggia che siano in lavorazione i 12nm FinFET, evoluzione degli attuali 16nm FinFET. Questo nodo sembra essere, in particolare, derivato dai 16nm FFC (FinFET Compact), una variante espressamente dedicata ai produttori di chip per dispositivi Mobile o comunque a basso consumo/costo: “The upcoming TSMC 12nm process is actually a smaller version of the foundry's 16nm technology, which is already offered in three process variants, said the sources. TSMC originally planned to launch it as the fourth generation of its 16nm technology that will come with lower leakage and better cost characteristics, but has decided to introduce it as an independent new process technology, the sources indicated”.
I 12nm FinFET di TSMC dovrebbero giungere sul mercato nel 2018, cioè un anno dopo i 10nm FinFET, e con tutta probabilità decreterà l’entrata in servizio della tecnologia FinFET su larga scala (Fino ad oggi, infatti, solo i chip venduti con un buon margine utile o che hanno numeri di vendita enormi sono fabbricati con nodo FinFET).