Kelvin Low, Senior Director of Foundry Marketing for Samsung Semiconductor, dopo aver presentato i vantaggi della tecnologia FD-SOI al Workshop di febbraio, torna sull'argomento discutendone più approfonditamente con Jessica Lipsky di EETimes.
Come abbiamo avuto modo di riportare, Samsung crede che l'FD-SOI possa giocare un ruolo molto importante nella produzione dei chip dedicati al mercato dell'Internet of Things, grazie all'ottimo rapporto costi/consumi in grado di garantire. L'elevato costo di disegno e di produzione dei chip sui 14nm FinFET sta spaventando quelle aziende che non sono in grado di affrontare simili spese, ed allo stesso tempo i 28nm BULK si stanno avvicinando ai propri limiti fisici per quanto concerne le tecnologie di risparmio energetico.
L'FD-SOI, quindi, si pone a metà strada tra questi due processi produttivi, garantendo alle aziende fabless la possibilità di produrre chip, forse non dall'elevata frequenza, ma in grado consumare veramente poca energia durante il funzionamento: “Samsung is also investing in 28nm FD-SOI to provide customers with a cheaper, fully depleted silicon-on-insulator architecture. The cost per transistor has increased in 14nm FinFETs and will continue to do so, Low said, so an alternative technology such as 28nm SOI is necessary”.
Un esempio di questa propensione al risparmio ci è dato dalla presentazione del primo ASIC realizzato con i 28nm FD-SOI: “Right on schedule, the SFARDS cryptocurrency ASIC on 28nm FD-SOI has made its debut in silicon, and is surpassing expectations. In what is clearly a stunning success, the company announced that the ASIC’s lowest working voltage is 0.45V. This means it operates stably at a power supply voltage that’s about half that of competing 28nm offerings”.
Altri interessanti chip realizzati sui 28nm FD-SOI sono attesi nei prossimi mesi, mentre lo sviluppo dei 14nm FD-SOI per chip High Performance sembra procedere speditamente.