Samsung continua la propria marcia a tappe forzate, iniziando la produzione in serie delle DRAM con nodo da 18nm, al fine di fiaccare ancor di più la concorrenza di SK Hynix e Micron Technology, per il momento ferme ai 20nm dalla fine del 2014 (i 16nm dovrebbero essere pronti per la fine dell'anno).
Sebbene questo possa sembrare un vantaggio da poco, il passaggio dai 20nm ai 18nm permetterà a Samsung di migliorare gli utili e le rese: dallo stesso wafer, infatti, si potrà produrre circa il 20% di DRAM in più utilizzando il nodo da 18nm!
Un duro colpo per Hynix e Micron, le quali dovranno fare i conti con il prezzo sempre più basso delle memorie DRAM, ed al contempo con dei costi di produzione più elevati rispetto a quelli di Samsung, la quale potrebbe migliorare ancora di più le già ottime proprie quote di mercato.
Forse è proprio per questo motivo che Hynix e Micron, rispettivamente con le HBM e le GDDR5X, stanno cercando di trovare nuovi sbocchi nel mercato delle memorie volatili. Non potendo più concorrere sul piano del nodo produttivo, bisogna concorrere necessariamente farlo sul piano dell'innovazione.